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  压电陶瓷
叠层式微位移驱动器

叠层式微位移驱动器

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1. 应用领域

叠层式微位移驱动器 (S-I50-11C), 是一个应用广泛的位移控制系统,其可应用于光纤对接,光学微处理系统,医疗科学,集成电路制造,精密加工领域。超薄的压电陶瓷芯片被叠层在一体,具有了保持高灵敏度,低电压、微位移、大驱动力,高稳定性优势


2. 型号
S-I50-11C

3. 结构
单位: mm


外部的封装盒可根据客户实际应用来选择和调整,一般的钛合金可以被选择。


4. 规格
如下性能参数表格是根据驱动器选择 PZT-5X45 材料,尺寸 5.1mm x 5.1mm x 18mm

材料
Unit
PZT-5X45
陶瓷厚度
t (mm)
0.11
陶瓷数
n
150
总长度
L (mm)
18
边长
L (mm)
5.1
电容
C(μF)
1.1
绝缘阻抗
R(MΩ)
50
驱动电压
V(v)
150
位移
D(μm)
18
F(N)
1000
电极 ( + )
-
Red wire
电极 ( - )
-
White wire

性能曲线 (Type:S-150-11C)
位移/驱动电压 力/位移



5. 测试 条件

温度变化
30 分钟 -40℃ 到30分钟 +65℃, 5 循环
☆ 位移变化<= 5%
☆ 电容变化<=20%
☆ 阻抗变化<= 50 MΩ

冲击变化
65℃,85%RH , 24h
☆ 位移变化<= 5%
☆ 电容变化<=20%
☆ 阻抗变化<= 1 MΩ

6. 备注
我们还有其他类型的驱动器 (S-150-20C) ,其用PMN-PT单晶制作,在同样驱动电压(150VDC) 它可以达到 (60um). 输出的力为 400N, 比 S-150-11C稍微小一些.
型号          材料     尺寸           驱动电压(max) 位移(max) 力(max)
S-150-11C PZT-5   5×5×18mm 150v DC             18μm        1000N
S-150-20C PMN-PT 5×5×42mm 150 v DC            60μm        400N

工作环境: -20 ~ 60 ℃
储存温度: -30 ~ 85℃